FP30R06W1E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 37 А, 1.55 В, 115 Вт, 600 В, Module

Код товара: 21446
Артикул: FP30R06W1E3BOMA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 37 A
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
Maximum Power Dissipation 115 W
смотреть полные характеристики
9590,00 
наличие:
Выберите количество:
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.
Основные параметры
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 37 A
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
Maximum Power Dissipation 115 W
Number of Transistors 7
Вес, г 35.23
MAX222CDW
наличие: 0 шт
Код товара: 36931
Артикул: 44b8aad245be
MAX222IDW
наличие: 0 шт
Код товара: 38331
Артикул: 315c3462b01b
MAX222IDWR
наличие: 0 шт
Код товара: 36927
Артикул: f907f2f4b031
MAX8546EUB+
наличие: шт
Код товара: 34264
Артикул:
MAX3232CDWR
наличие: 0 шт
Код товара: 36940
Артикул: 41fd2618547d
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 30 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 33572
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 30 кОм, 5%
MAX3222IPWR
наличие: 0 шт
Код товара: 36955
Артикул: 2887eaf978dc
CF-25 (С1-4) 0.25 Вт, 270 кОм, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
Код товара: 17724
Артикул: CF-25 (С1-4) 0.25 Вт, 270 кОм, 5%
MAX3232ECD
наличие: 0 шт
Код товара: 36970
Артикул: b2b04d2d4c99