Каталог

FP30R06W1E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 37 А, 1.55 В, 115 Вт, 600 В, Module

Код товара: 21446
Артикул: FP30R06W1E3BOMA1
В сравнение В избранное
FP30R06W1E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 37 А, 1.55 В, 115 Вт, 600 В, Module
FP30R06W1E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 37 А, 1.55 В, 115 Вт, 600 В, Module
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 37 A
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
Maximum Power Dissipation 115 W
смотреть полные характеристики
9590,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.
Основные параметры
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 37 A
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
Maximum Power Dissipation 115 W
Number of Transistors 7
Вес, г 35.23