FP15R12W1T4, IGBT Modules IGBT-MODULE

Код товара: 21035
Артикул: FP15R12W1T4
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.85 V
Configuration: 3-Phase Inverter
смотреть полные характеристики
13430,00 
наличие:
Выберите количество:
SemiconductorsDiscrete SemiconductorsTransistorsIGBT Modules
Основные параметры
Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.85 V
Configuration: 3-Phase Inverter
Continuous Collector Current at 25 C: 28 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 24
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Manufacturer: Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Chassis Mount
Package / Case: EASY1B
Packaging: Tray
Part # Aliases: SP000364071 FP15R12W1T4BOMA1
Pd - Power Dissipation: 130 W
Product Category: IGBT Modules
Product Type: IGBT Modules
Product: IGBT Silicon Modules
Series: Trenchstop IGBT4-T4
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Tradename: EasyPIM
Вес, г 24
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 2.4 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 33084
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 2.4 кОм, 5%
CF-50 (С1-4) 0.5 Вт, 1.3 Ом, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
Код товара: 20635
Артикул: CF-50 (С1-4) 0.5 Вт, 1.3 Ом, 5%