FP10R06W1E3, IGBT Modules N-CH 600V 16A

Код товара: 20480
Артикул: FP10R06W1E3
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.55 V
Configuration: 3-Phase Inverter
смотреть полные характеристики
10140,00 
наличие:
Выберите количество:
SemiconductorsDiscrete SemiconductorsTransistorsIGBT Modules
Основные параметры
Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.55 V
Configuration: 3-Phase Inverter
Continuous Collector Current at 25 C: 16 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 24
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Manufacturer: Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Chassis Mount
Package / Case: EASY1B
Packaging: Tray
Part # Aliases: SP000092044 FP10R06W1E3BOMA1
Pd - Power Dissipation: 68 W
Product Category: IGBT Modules
Product Type: IGBT Modules
Product: IGBT Silicon Modules
Series: Trench/Fieldstop IGBT3-E3
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Tradename: EasyPIM
Вес, г 24
MJH11021G, Транзистор PNP Darlington 250В 15А [TO-247]
наличие: шт
Код товара: 33940
Артикул: MJH11021G
CA-IS3762HN, Изолятор цифровой 6-ти канальный быстродействующий
наличие: шт
Код товара: 27658
Артикул: CA-IS3762HN
MJ21194G, Транзистор, NPN, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3]
наличие: шт
Код товара: 33254
Артикул: MJ21194G
1270,00 
В корзину
MJE13009, Транзистор, NPN, 400В, 12А, 100Вт [TO-220]
наличие: шт
Код товара: 33598
Артикул: MJE13009