FP100R12KT4, IGBT Modules IGBT-MODULE

Код товара: 20261
Артикул: FP100R12KT4
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pd - рассеивание мощности 5.15 W
Вид монтажа Chassis Mount
Высота 17 mm
Длина 122 mm
смотреть полные характеристики
45990,00 
наличие:
Выберите количество:
Полупроводниковые приборыДискретные полупроводниковые приборыТранзисторыМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE

Основные параметры
Pd - рассеивание мощности 5.15 W
Вид монтажа Chassis Mount
Высота 17 mm
Длина 122 mm
Другие названия товара № SP000355578 FP100R12KT4BOSA1
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP EconoPIM
Конфигурация 3-Phase
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
Подкатегория IGBTs
Продукт IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки 10
Серия Trenchstop IGBT4 - T4
Технология Si
Тип продукта IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tray
Упаковка / блок Econo 3
Ширина 62 mm
Вес, г 300
GD150HFY120C6S, Силовой модуль, 1200В 150A, аналог CM150DX-24S
наличие: шт
Код товара: 3438
Артикул: GD150HFY120C6S
7940,00 
В корзину
Module DC-DC 1Out 15V 0.134A 2W 7Pin DIP
наличие: шт
Код товара: 34748
Артикул: TDR 2-1213WI
4500,00 
В корзину
FZ2400R17HP4_B9
наличие: шт
Код товара: 5289
Артикул:
89540,00 
В корзину