Каталог

FF900R12IE4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 900 А, 1.75 В, 5.1 кВт, 150 °C, Module

Код товара: 20049
Артикул: FF900R12IE4BOSA1
В сравнение В избранное
FF900R12IE4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 900 А, 1.75 В, 5.1 кВт, 150 °C, Module
FF900R12IE4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 900 А, 1.75 В, 5.1 кВт, 150 °C, Module
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage 1.75В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 900А
DC Ток Коллектора 900А
смотреть полные характеристики
77790,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули

FF900R12IE4, SP000614712

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 1.75В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 900А
DC Ток Коллектора 900А
Power Dissipation 5.1кВт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Dual
Линейка Продукции PrimePACK 2
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Максимальная Температура Перехода Tj 150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.75В
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 5.1кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)
Вес, г 898
FP50R12KT4GBOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
наличие: шт
FP50R12KT4GBOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Код товара: 22746
Артикул: FP50R12KT4GBOSA1
36150,00 ₽
В корзину