FF900R12IE4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 900 А, 1.75 В, 5.1 кВт, 150 °C, Module

Код товара: 20049
Артикул: FF900R12IE4BOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage 1.75В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 900А
DC Ток Коллектора 900А
смотреть полные характеристики
77790,00 
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули

FF900R12IE4, SP000614712

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 1.75В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 900А
DC Ток Коллектора 900А
Power Dissipation 5.1кВт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Dual
Линейка Продукции PrimePACK 2
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Максимальная Температура Перехода Tj 150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.75В
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 5.1кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)
Вес, г 898
R40x24x20 PC40, Ферритовый сердечник кольцевой R40/24×20 мм, PC40
наличие: шт
Код товара: 24658
Артикул: R40x24x20 PC40, Ферритовый сердечник кольцевой R4
R31x19x15 P3 painted, Феррит R31x19x15 P3, окрашенный, кольцевой
наличие: шт
Код товара: 24433
Артикул: R31x19x15 P3 painted, Феррит R31x19x15 P3, окраш
ТПК-0.7 (6В, 0.12А) (ТПГ-0.7), Трансформатор герметичный (залитый), 6В, 0.12А
наличие: шт
Код товара: 3072
Артикул: ТПК-0.7 (6В, 0.12А) (ТПГ-0.7)