Каталог

FF900R12IE4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 900 А, 1.75 В, 5.1 кВт, 150 °C, Module

Код товара: 20049
Артикул: FF900R12IE4BOSA1
В сравнение В избранное
FF900R12IE4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 900 А, 1.75 В, 5.1 кВт, 150 °C, Module
FF900R12IE4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 900 А, 1.75 В, 5.1 кВт, 150 °C, Module
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage 1.75В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 900А
DC Ток Коллектора 900А
смотреть полные характеристики
77790,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули

FF900R12IE4, SP000614712

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 1.75В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 900А
DC Ток Коллектора 900А
Power Dissipation 5.1кВт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Dual
Линейка Продукции PrimePACK 2
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Максимальная Температура Перехода Tj 150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.75В
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 5.1кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)
Вес, г 898
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 2.4 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 2.4 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
Код товара: 34400
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 2.4 МОм, 5%
6,00 ₽
В корзину
MMBTA42, Транзистор NPN 300В 0.5А [SOT-23-3]
наличие: шт
MMBTA42, Транзистор NPN 300В 0.5А [SOT-23-3]
Код товара: 34714
Артикул:
5,00 ₽
В корзину
CG590LS, Разрядник: защита от перенапряжения, SMD, Uпроб.тип: 90В, 1,5пФ
наличие: шт
CG590LS, Разрядник: защита от перенапряжения, SMD, Uпроб.тип: 90В, 1,5пФ
Код товара: 2375
Артикул: CG590LS
860,00 ₽
В корзину
Индуктивность, 560,0 мкГн, 0,085 А,EC24, AXI 2,8x 7,0 мм, AL(LGA)0307-561K,± 10%
наличие: шт
Индуктивность, 560,0 мкГн, 0,085 А,EC24, AXI 2,8x 7,0 мм, AL(LGA)0307-561K,± 10%
Код товара: 31402
Артикул: 4006 индук 560,0мкГн\0,085А\AXI2,5x 6,5\\\\\EC24\
25,00 ₽
В корзину
2SD1609, Транзистор биполярный, NPN, Ic=0.1А, Vceo=160В, Vcbo=160В, Pd=1.25Вт, hFE= 60…320 [TO-126]
наличие: шт
2SD1609, Транзистор биполярный, NPN, Ic=0.1А, Vceo=160В, Vcbo=160В, Pd=1.25Вт, hFE= 60…320 [TO-126]
Код товара: 18269
Артикул: 2SD1609
130,00 ₽
В корзину
DE2E3KY102MB2BM01F, Safety Capacitors PLEASE SEE MURATA’S SUGGESTED ALTERNATE DE2E3SA102MJ2BT01F
наличие: шт
DE2E3KY102MB2BM01F, Safety Capacitors PLEASE SEE MURATA’S SUGGESTED ALTERNATE DE2E3SA102MJ2BT01F
Код товара: 28102
Артикул: DE2E3KY102MB2BM01F
84,00 ₽
В корзину
FS75R12KE3G, IGBT Modules 1200V 75A 3-PHASE
наличие: шт
FS75R12KE3G, IGBT Modules 1200V 75A 3-PHASE
Код товара: 25565
Артикул: FS75R12KE3G
45270,00 ₽
В корзину
2035-35-SMLF, Gas Discharge Tubes – GDTs / Gas Plasma Arrestors Gas Discharge Tube High Voltage
наличие: шт
2035-35-SMLF, Gas Discharge Tubes – GDTs / Gas Plasma Arrestors Gas Discharge Tube High Voltage
Код товара: 27614
Артикул: 2035-35-SMLF
300,00 ₽
В корзину
JYC3F222MCF075000B, Конденсатор: керамический, 2,2нФ, 3кВDC, Y5V, -20-80%, 7,5мм
наличие: шт
JYC3F222MCF075000B, Конденсатор: керамический, 2,2нФ, 3кВDC, Y5V, -20-80%, 7,5мм
Код товара: 4120
Артикул: JYC3F222MCF075000B
15,00 ₽
В корзину
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 4.3 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 4.3 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
Код товара: 34510
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 4.3 МОм, 5%
7,00 ₽
В корзину