Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage	1.75В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	900А
DC Ток Коллектора	900А

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage	1.75В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	900А
DC Ток Коллектора	900А
Power Dissipation	5.1кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Dual
Линейка Продукции	PrimePACK 2
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Максимальная Температура Перехода Tj	150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.75В
Полярность Транзистора	N Канал
Рассеиваемая Мощность	5.1кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)
Вес, г	898

FF900R12IE4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 900 А, 1.75 В, 5.1 кВт, 150 °C, Module