Производитель	Inchange Semiconductor
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	3

Основные параметры
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	40…320
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	30
Корпус	to-220
Вес, г	2.5

2SD313, Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=60В, Vcbo=60В, Pd=30Вт, hFE= 40…320 [TO-220]