Home
Электронные компоненты
Полупроводниковые модули
IGBT
FF75R12RT4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 395 Вт, 1.2 кВ, Module

FF75R12RT4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 395 Вт, 1.2 кВ, Module

Код товара: 19707

Артикул: N/A

FF75R12RT4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 395 Вт, 1.2 кВ, Module

Характеристики

Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Channel Type	N
Configuration	Series
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	75 A

смотреть полные характеристики

14820,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

В корзину

Описание
Технические характеристики

The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.

Основные параметры
Channel Type	N
Configuration	Series
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	75 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	395 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Panel Mount
Package Type	34MM Module
Pin Count	7
Transistor Configuration	Series
Вес, г	181.3