FF75R12RT4HOSA1, FF75R12RT4HOSA1 Series IGBT Module, 75 A 1200 V, 7-Pin 34MM Module, Panel Mount

Код товара: 19639
Артикул: FF75R12RT4HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 75 A
смотреть полные характеристики
30810,00 
наличие:
Выберите количество:
SemiconductorsDiscrete SemiconductorsIGBTs

The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.

Основные параметры
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 75 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 395 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Panel Mount
Package Type 34MM Module
Pin Count 7
Transistor Configuration Series
Вес, г 181.3
ADUM1401CRWZ-RL, Digital Isolators QUAD-CHANNEL DIGITAL ISOLATORS
наличие: шт
Код товара: 30472
Артикул:
2570,00 
В корзину
ADUM1402ARWZ-RL, Четырехканальный цифровой изолятор [SO-16W]
наличие: шт
Код товара: 1550
Артикул: ADUM1402ARWZ-RL
B66307G0000X187
наличие: шт
Код товара: 16768
Артикул:
Стабилитрон, напряжение 100 В, мощность 5 Вт, корпус SD1, марка Д817Г
наличие: шт
Код товара: 33238
Артикул: Дстаб 100\5Вт\Д817Г\SD1
SN65HVD75DR
наличие: 0 шт
Код товара: 38543
Артикул: 9ecfe61fe520
X3C25P1-02S
наличие: 625 шт
Код товара: 38847
Артикул: 3f114eadc7a7