Производитель	Inchange Semiconductor
Структура	npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	70
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	4

Основные параметры
Структура	npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	70
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	2000…5000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	20
Корпус	TO-220FP
Вес, г	2

2SD1825, Транзистор биполярный, NPN, Ic=4А, Vceo=60В, Vcbo=70В, Pd=20Вт, hFE= =2К [TO-220F]