2SD1609, Транзистор биполярный, NPN, Ic=0.1А, Vceo=160В, Vcbo=160В, Pd=1.25Вт, hFE= 60…320 [TO-126]

Код товара: 18269
Артикул: 2SD1609
Характеристики
Производитель Inchange Semiconductor
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
смотреть полные характеристики
130,00 
наличие:
Выберите количество:
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 60…320
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 140
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 12.5
Корпус to-126
Вес, г 0.9
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 2.2 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 34382
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 2.2 МОм, 5%
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 2.4 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 34400
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 2.4 МОм, 5%
MMBTA42, Транзистор NPN 300В 0.5А [SOT-23-3]
наличие: шт
Код товара: 34714
Артикул:
Индуктивность, 560,0 мкГн, 0,085 А,EC24, AXI 2,8x 7,0 мм, AL(LGA)0307-561K,± 10%
наличие: шт
Код товара: 31402
Артикул: 4006 индук 560,0мкГн\0,085А\AXI2,5x 6,5\\\\\EC24\