Home
Электронные компоненты
Полупроводниковые модули
IGBT
FF300R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 370 А, 3.2 В, 1.95 кВт, 1.2 кВ, Module

FF300R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 370 А, 3.2 В, 1.95 кВт, 1.2 кВ, Module

Код товара: 18263

Артикул: FF300R12KS4HOSA1

FF300R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 370 А, 3.2 В, 1.95 кВт, 1.2 кВ, Module

Характеристики

Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Channel Type	N
Configuration	Series
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	370 A

смотреть полные характеристики

52810,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

В корзину

Описание
Технические характеристики

The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.

Основные параметры
Channel Type	N
Configuration	Series
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	370 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+125 °C
Maximum Power Dissipation	1950 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Panel Mount
Package Type	62MM Module
Pin Count	3
Transistor Configuration	Series
Вес, г	366