Производитель	Inchange Semiconductor
Структура	npn с резистором и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	600
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	6

Основные параметры
Структура	npn с резистором и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	600
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	8
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	50
Корпус	to-3ml
Вес, г	7.3

2SD1556, Транзистор, NPN 600В 6А 50Вт [TO-3ML]