Производитель	Inchange Semiconductor
Структура	npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	600
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	6

Основные параметры
Структура	npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	600
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	600
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	25
Корпус	TO-220FP
Вес, г	2

2SD1409A, Транзистор биполярный, NPN, Ic=6А, Vceo=400В, Vcbo=600В, Pd=25Вт, hFE= =600 [TO-220Fa]