FF200R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 275 А, 3.2 В, 1.4 кВт, 125 °C, Module

Код товара: 17708
Артикул: FF200R12KS4HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Collector Emitter Saturation Voltage 3.2В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 275А
DC Ток Коллектора 275А
смотреть полные характеристики
28100,00 
наличие:
Выберите количество:
Полупроводники – ДискретныеБТИЗБТИЗ Массивы и Модули

FF200R12KS4, SP000100707

Основные параметры
Collector Emitter Saturation Voltage 3.2В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 275А
DC Ток Коллектора 275А
Power Dissipation 1.4кВт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Dual
Линейка Продукции 62mm C
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Максимальная Температура Перехода Tj 125°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 3.2В
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 1.4кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 2 Fast
Вес, г 363.4
(QG82915GMS) северный мост QG82915GMS [SL8B7], new
наличие: шт
Код товара: 24796
Артикул:
BLM18KG101TN1D
наличие: шт
Код товара: 20047
Артикул:
F475R06W1E3BOMA1, Trans IGBT Module N-CH 600V 100A 275W 15-Pin EASY1B-1 Tray
наличие: шт
Код товара: 16846
Артикул: F475R06W1E3BOMA1
15370,00 
В корзину
DFI75PM12P4D1, IGBT модуль, 75 A 1200 V P4 Full Bridge
наличие: шт
Код товара: 3106
Артикул: DFI75PM12P4D1
7590,00 
В корзину
BLM15PX121SN1D
наличие: шт
Код товара: 18882
Артикул: