FF200R06KE3HOSA1

Код товара: 17428
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Base Product Number FF200R06 ->
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 260A
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
смотреть полные характеристики
32420,00 
наличие:
Выберите количество:
Discrete Semiconductor ProductsTransistors – IGBTs – Modules

Модуль IGBT Trench Field Stop Half Bridge 600V 260A 680W Модуль для монтажа на шасси

Основные параметры
Base Product Number FF200R06 ->
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 260A
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case Module
Power - Max 680W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series C ->
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V | 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.45В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 260А
DC Ток Коллектора 260А
Power Dissipation 680Вт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Dual(Half Bridge)
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Максимальная Температура Перехода Tj 150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер 600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.45В
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 680Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 3(Trench/Field Stop)
Вес, г 0.1