| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
| Pd - рассеивание мощности | 780 W |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Высота | 30.9 mm |
| Длина | 106.4 mm |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225A
| Основные параметры | |
| Pd - рассеивание мощности | 780 W |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Высота | 30.9 mm |
| Длина | 106.4 mm |
| Другие названия товара № | SP000100788 FF150R12KT3GHOSA1 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.15 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 225 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Серия | Trench/Fieldstop IGBT3 - T3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | 62 mm |
| Ширина | 61.4 mm |
| Вес, г | 340 |
