| Производитель | Inchange Semiconductor |
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 900 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 550 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Основные параметры | |
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 900 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 550 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 80 |
| Корпус | to-3pn |
| Вес, г | 6.5 |