Производитель	Inchange Semiconductor
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	900
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	550
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	5

Основные параметры
Структура	npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	900
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	550
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	80
Корпус	to-3pn
Вес, г	6.5

2SC5586, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=550В, Vcbo=900В, Pd=80Вт [TO-3PN]