FF150R12KS4HOSA1

Код товара: 17137
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 225 A
смотреть полные характеристики
19980,00 
наличие:
Выберите количество:
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Основные параметры
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 225 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +125 °C
Maximum Power Dissipation 1250 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Panel Mount
Package Type 62MM Module
Pin Count 7
Switching Speed 1MHz
Transistor Configuration Series
561R10TCCV33
наличие: шт
Код товара: 31424
Артикул:
ТН3-127/220-50, Трансформатор
наличие: шт
Код товара: 16186
Артикул:
1430,00 
В корзину
Головка звукоснимателя магнитная, размер 11x 8x 7m18, тип реверс, контакты 5P, шлейф
наличие: шт
Код товара: 10260
Артикул: ГЗМ 11x 8x 7m18\реверс\5Pшлейф\\
MMBT3906, Транзистор PNP 40В 0.2А HFE=100…300 0.2Вт [SOT-23-3]
наличие: шт
Код товара: 34318
Артикул: MMBT3906