FF150R12KS4HOSA1

Код товара: 17137
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 225 A
смотреть полные характеристики
19980,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Основные параметры
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 225 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +125 °C
Maximum Power Dissipation 1250 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Panel Mount
Package Type 62MM Module
Pin Count 7
Switching Speed 1MHz
Transistor Configuration Series
Аккумулятор EB-BT575BBE для Samsung Galaxy Tab Active 3 2020 SM-T570 3.85V 4900mAh черный
наличие: шт
Код товара: 18245
Артикул: EB-BT575BBE GH43-05039A CS-SMT570XL
2570,00 ₽
В корзину
Сервер Hewlett-Packard 776974-425
наличие: шт
Код товара: 12701
Артикул: 776974-425
205900,00 ₽
В корзину
BLM15PD600SN1D
наличие: шт
Код товара: 18745
Артикул: