Каталог

FF150R12KS4HOSA1

Код товара: 17137
Артикул: N/A
В сравнение В избранное
FF150R12KS4HOSA1
FF150R12KS4HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 225 A
смотреть полные характеристики
19980,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Основные параметры
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 225 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +125 °C
Maximum Power Dissipation 1250 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Panel Mount
Package Type 62MM Module
Pin Count 7
Switching Speed 1MHz
Transistor Configuration Series
2SC2881, Транзистор NPN 120В 0.8А HFE=80…240 0.5Вт [SOT-89]
наличие: шт
2SC2881, Транзистор NPN 120В 0.8А HFE=80…240 0.5Вт [SOT-89]
Код товара: 12588
Артикул: 2SC2881
11,00 ₽
В корзину
X3C21P1-03S
наличие: 2350 шт
X3C21P1-03S
Код товара: 37915
Артикул: 0b28a24d33da
2,75 ₽
В корзину