FF150R12KS4HOSA1

Код товара: 17137
Артикул: N/A
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 225 A
смотреть полные характеристики
19980,00 
наличие:
Выберите количество:
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Основные параметры
Channel Type N
Configuration Series
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 225 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +125 °C
Maximum Power Dissipation 1250 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Panel Mount
Package Type 62MM Module
Pin Count 7
Switching Speed 1MHz
Transistor Configuration Series
1N5406 стабилитрон
наличие: шт
Код товара: 28466
Артикул:
Аккумулятор L15D1P31 для планшета Lenovo Yoga Tab 3 Pro 3.8V 4000mAh
наличие: шт
Код товара: 22180
Артикул: L15D1P31, SB18C01830, CS-LVX390SL
1860,00 
В корзину
FF200R17KE3HOSA1
наличие: шт
Код товара: 17776
Артикул:
46120,00 
В корзину