Каталог

2SC5386, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=600В, Vcbo=1500В, Pd=50Вт [TO-3P(H)IS]

Код товара: 17067
Артикул: 2SC5386
В сравнение В избранное
2SC5386, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=600В, Vcbo=1500В, Pd=50Вт [TO-3P(H)IS]
2SC5386, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=600В, Vcbo=1500В, Pd=50Вт [TO-3P(H)IS]
Характеристики
Производитель Inchange Semiconductor
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 600
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
смотреть полные характеристики
360,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 600
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 50
Корпус to-3p(h)is
Вес, г 8
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 1.2 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 1.2 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
Код товара: 35966
Артикул: MO-200 (С2-23) 2 Вт, 1.2 кОм, 5%
15,00 ₽
В корзину
2SC3150, Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=800В, Vcbo=900В, Pd=50Вт, hFE= 10…40 [TO-220]
наличие: шт
2SC3150, Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=800В, Vcbo=900В, Pd=50Вт, hFE= 10…40 [TO-220]
Код товара: 12845
Артикул: 2SC3150
240,00 ₽
В корзину
2056-60-B2LF, Gas Discharge Tubes – GDTs / Gas Plasma Arrestors 600volts 3E RAD GDT 6X8mm DIA
наличие: шт
2056-60-B2LF, Gas Discharge Tubes – GDTs / Gas Plasma Arrestors 600volts 3E RAD GDT 6X8mm DIA
Код товара: 29939
Артикул: 2056-60-B2LF
450,00 ₽
В корзину