| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
| Pd - рассеивание мощности | 555 W |
| Другие названия товара № | FF100R12RT4HOSA1 SP000624754 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module w/ IGBT & Diode
| Основные параметры | |
| Pd - рассеивание мощности | 555 W |
| Другие названия товара № | FF100R12RT4HOSA1 SP000624754 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Вес, г | 160 |
