FF100R12RT4, IGBT Modules IGBT Module w/ IGBT & Diode

Код товара: 16992

Артикул: FF100R12RT4

Характеристики

Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pd - рассеивание мощности	555 W
Другие названия товара №	FF100R12RT4HOSA1 SP000624754
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Максимальная рабочая температура	+ 150 C

23090,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

Полупроводниковые приборыДискретные полупроводниковые приборыТранзисторыМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module w/ IGBT & Diode

Основные параметры
Pd - рассеивание мощности	555 W
Другие названия товара №	FF100R12RT4HOSA1 SP000624754
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2 V
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	10
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Вес, г	160