2SC4429, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=800В, Vcbo=1100В, Pd=60Вт , hFE= 10…40 [TO-3PML]

Код товара: 15656
Артикул: 2SC4429
Характеристики
Производитель Inchange Semiconductor
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
смотреть полные характеристики
400,00 
наличие:
Выберите количество:
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10…40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 60
Корпус to-3pml
Вес, г 7.3
ТП112-8 (ТП132-8), Трансформатор, 12.5В, 0.51А; 4.75В, 0.15А
наличие: шт
Код товара: 1406
Артикул: ТП112-8 (ТП132-8)
AIRD-03-181K
наличие: 262 шт
Код товара: 36396
Артикул: 37ff200df4be
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 510 Ом, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
Код товара: 3050
Артикул: CF-100 (С1-4) 1 Вт, 510 Ом, 5%
Индуктивный трансформатор , ТИМ-48В
наличие: шт
Код товара: 32096
Артикул: 3450 индук транс\\\\ТИМ-48В
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 33 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 32276
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 33 Ом, 5%
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 82 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 33770
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 82 кОм, 5%
FF450R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А
наличие: шт
Код товара: 7407
Артикул: FF450R12KT4HOSA1
19350,00 
В корзину
LHL06TB4R7K
наличие: 19000 шт
Код товара: 36682
Артикул: f75dbd702b6d
FF300R12KT3HOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 480A 1450W 7-Pin 62MM-1 Tray
наличие: шт
Код товара: 18403
Артикул: FF300R12KT3HOSA1
42540,00 
В корзину