| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Мощность рассеяния,Вт | 1 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 25.65 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 27 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 28.35 |
| Основные параметры | |
| Мощность рассеяния,Вт | 1 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 25.65 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 27 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 28.35 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 35 |
| при токе I ст,мА | 0.25 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации | +0.06…+0.095(%/C) |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 0.25 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 14 |
| Рабочая температура,С | -65…+200 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | DO-41 |
| Вес, г | 0.4 |
