| Производитель | Mitsubishi |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 300А |
| DC Ток Коллектора | 300А |
| Основные параметры | |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 300А |
| DC Ток Коллектора | 300А |
| Power Dissipation | 780Вт |
| Выводы БТИЗ | Tab |
| Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
| Линейка Продукции | NF Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 780Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 5(Trench Gate) |
| Вес, г | 314.4 |
![КТ502Е (22г.), Биполярный транзистор, PNP, -80В, -0.15А, 0.35Вт, 5МГц, h21e=40…120 [КТ-26 / TO-92]](https://euroimport-it.com/wp-content/uploads/2024/04/doc005299941-38.jpg)
