Каталог

2SC3552, Транзистор биполярный, NPN, Ic=12А, Vceo=800В, Vcbo=1100В, Pd=150Вт, hFE= 10…40 [TO-3PN]

Код товара: 14352
Артикул: 2SC3552
В сравнение В избранное
2SC3552, Транзистор биполярный, NPN, Ic=12А, Vceo=800В, Vcbo=1100В, Pd=150Вт, hFE= 10…40 [TO-3PN]
2SC3552, Транзистор биполярный, NPN, Ic=12А, Vceo=800В, Vcbo=1100В, Pd=150Вт, hFE= 10…40 [TO-3PN]
Характеристики
Производитель Inchange Semiconductor
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 12
смотреть полные характеристики
750,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10…40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 150
Корпус to-3pn
Вес, г 6.5
MJ802G, Транзистор NPN 90В 30А [TO-3]
наличие: шт
MJ802G, Транзистор NPN 90В 30А [TO-3]
Код товара: 33308
Артикул: MJ802G
1090,00 ₽
В корзину
Предохранитель 4,0×15, ток 0,5 А, керамика, ВП1-1
наличие: шт
Предохранитель 4,0×15, ток 0,5 А, керамика, ВП1-1
Код товара: 19784
Артикул: 10128 пред 4,0x15\ 0,5А\\кер\\[ВП1-1]
40,00 ₽
В корзину
MJ21193G, Транзистор, PNP, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3]
наличие: шт
MJ21193G, Транзистор, PNP, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3]
Код товара: 33236
Артикул: MJ21193G
1010,00 ₽
В корзину