Каталог

IGCM10F60GAXKMA1, 3х фазный IGBT модуль, 600В, 10А [DIP 36×21]

Код товара: 1410
Артикул: IGCM10F60GAXKMA1
В сравнение В избранное
IGCM10F60GAXKMA1, 3х фазный IGBT модуль, 600В, 10А [DIP 36×21]
IGCM10F60GAXKMA1, 3х фазный IGBT модуль, 600В, 10А [DIP 36×21]
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Количество фаз 3
Тип igbt
Серия CIPOS
Корпус DIP 36x21
смотреть полные характеристики
1220,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Контроллеры и драйверы двигателей / движения / зажигания CIPOS MINI
Основные параметры
Количество фаз 3
Тип igbt
Серия CIPOS
Корпус DIP 36x21
Непрерывный коллекторный ток при 25°C, А 10
Напряжение изоляции, Vrms 2000
Напряжение коллектор-эмиттер (Vces), В 600
Вес, г 11.74
MJL21194G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт, [TO-264]
наличие: шт
MJL21194G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт, [TO-264]
Код товара: 33996
Артикул: MJL21194G
910,00 ₽
В корзину
562R5GAD30, Cap Ceramic Single 0.003uF 1000V Z5U 20% (7.4 X 4mm) Radial Disc 6.4mm 105°C Bulk
наличие: шт
562R5GAD30, Cap Ceramic Single 0.003uF 1000V Z5U 20% (7.4 X 4mm) Radial Disc 6.4mm 105°C Bulk
Код товара: 31744
Артикул: 562R5GAD30
74,00 ₽
В корзину
Конденсатор керамический 2200 пФ 100013x 4x 92L30(2,2nFM1000); к 2200 пФ 100013x 4x 9\\2L30\(2,2nFM1000)
наличие: шт
Конденсатор керамический 2200 пФ 100013x 4x 92L30(2,2nFM1000); к 2200 пФ 100013x 4x 9\\2L30\(2,2nFM1000)
Код товара: 11281
Артикул: к 2200 пФ\ 1000\13x 4x 9\\\\2L30\\(2,2nFM1000)
74,00 ₽
В корзину
MMBT5401LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
наличие: шт
MMBT5401LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
Код товара: 34518
Артикул: MMBT5401LT1G
18,00 ₽
В корзину
B82141A1334J000, 330 мкгН, 105 мА, 5% (EC24, 0307), Индуктивность
наличие: шт
B82141A1334J000, 330 мкгН, 105 мА, 5% (EC24, 0307), Индуктивность
Код товара: 4689
Артикул: B82141A1334J000, 330 мкГн, 105 мА, 5% (EC24, 0307)
20,00 ₽
В корзину