SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]

Код товара: 1320

Артикул: SKM100GB125DN

Характеристики

Производитель	Semikron Elektronik
Структура	полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	100
Рабочая температура (Tj), °C	-40…+150

20740,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 100А 7-Pin Case D-93

Основные параметры
Структура	полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	100
Рабочая температура (Tj), °C	-40…+150
Корпус	D-93
Наличие схем управления/защиты в составе модуля	Нет
Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	200
Максимально допустимый импульсный ток э,А	400
Прямое падение напряжения коллектор-эмиттер 125С,В	2.5
Температурный диапазон,С	-40…150
Вес, г	160