Производитель	WeEn Semiconductors
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В	800
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В	800
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А	7.5
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А	100

Основные параметры
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В	800
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В	800
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А	7.5
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А	100
Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В	1.75
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А	0.015
Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному постоянному отпирающему току Uу.от.,В	1.5
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс	130
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс	130
Время включения tвкл.,мкс	2
Рабочая температура,С	-40…125
Корпус	to220ab
Вес, г	2.5

BT151-800R,127, Тиристор 12А 800В 15мА, [TO-220AB / SOT-78]