![BT151-650R,127, Тиристор 12А 650В 15мА, [TO-220AB / SOT-78]](https://euroimport-it.com/wp-content/uploads/2024/04/doc005413066.jpg)
| Производитель | WeEn Semiconductors |
| Максимальное обратное напряжение Uобр.,В | 650 |
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В | 650 |
| Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А | 7.5 |
| Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А | 100 |
Planar passivated Silicon Controlled Rectifier (SCR) in a TO-220AB (SOT78) plastic package intended for use in applications requiring high bidirectional blocking voltage capability, high surge cureent capability and high thermal cycling performance.
• Suitable for ignition circuits, motor control, protection circuits and voltage regulation
• High bidirectional blocking voltage capability
• High surge current capability
• High thermal cycling performance
| Основные параметры | |
| Максимальное обратное напряжение Uобр.,В | 650 |
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В | 650 |
| Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А | 7.5 |
| Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А | 100 |
| Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В | 1.75 |
| Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А | 0.015 |
| Отпирающее напряжение управления,соответствующее минимальному постоянному отпирающему току Uу.от.,В | 1.5 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 130 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 130 |
| Время включения tвкл.,мкс | 2 |
| Рабочая температура,С | -40…125 |
| Корпус | to220ab |
| Вес, г | 2.5 |
![ICE2A265FKLA1, ШИМ-контроллер импульсных БП со встроенным силовым ключом [DIP-8]](https://euroimport-it.com/wp-content/uploads/2024/04/doc005304707-37.jpg)
