SKM75GB12T4, Биполярный транзистор IGBT, 580 Вт

Код товара: 11005

Артикул: SKM75GB12T4

Характеристики

Производитель	Semikron Elektronik
Корпус	GB
Channel Type	N
Configuration	Dual Half Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V

5780,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Биполярный транзистор IGBT, 580 Вт

Основные параметры
Корпус	GB
Channel Type	N
Configuration	Dual Half Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	115 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Panel Mount
Package Type	SEMITRANS2
Pin Count	7
Transistor Configuration	Series
Вес, г	310