FF150R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 150A 790Вт

Код товара: 1100
Артикул: FF150R12RT4HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 150
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 790
смотреть полные характеристики
18800,00 
наличие:
Выберите количество:
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 150
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 790
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус AG-34MM
Вес, г 160
Кварцевый генератор 18432, HALF, 5В, OSC8, T/CM
наличие: шт
Код товара: 20263
Артикул: гк 18432 \\HALF\T/CM\5В\OSC8\SDE
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 7.5 Ом, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
Код товара: 1456
Артикул: CF-100 (С1-4) 1 Вт, 7.5 Ом, 5%
X3C25F1-05SR
наличие: 12000 шт
Код товара: 37250
Артикул: 026d06313c13
Тиристор 1600 В, 160 А ,корпус ST6, T161-160-16[Т161-160-16]
наличие: шт
Код товара: 6779
Артикул: Тиристор\ 1600 \ 160А\ST6\T161-160-16[Т161-160-16]
7380,00 
В корзину
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 510 Ом, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
Код товара: 3050
Артикул: CF-100 (С1-4) 1 Вт, 510 Ом, 5%
2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]
наличие: шт
Код товара: 14030
Артикул: 2SC3420-GR
Адаптер с внешней нарезкой IDEAL 1/2” 50-665
наличие: шт
Код товара: 7916
Артикул: 50-665
MCR718RL, Тиристор 600В 4А 75мкА (Логический уровень)
наличие: шт
Код товара: 23765
Артикул:
77A-3R9M-00
наличие: 300 шт
Код товара: 36259
Артикул: 4d3699502a47
9250A-332-RC
наличие: 900 шт
Код товара: 36574
Артикул: 9bcbd03d23cb