FF150R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 150A 790Вт

Код товара: 1100
Артикул: FF150R12RT4HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 150
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 790
смотреть полные характеристики
18800,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 150
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 790
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус AG-34MM
Вес, г 160
FMCP1009
наличие: 10 шт
Код товара: 38809
Артикул: b892be5ddfcb
1970,00 ₽
В корзину
DFI600SU17DF1, Модули IGBT, 600 A, 1700 V 62mm, Single
наличие: шт
Код товара: 3034
Артикул: DFI600SU17DF1
10430,00 ₽
В корзину
SMW42EC001-20
наличие: 2 шт
Код товара: 37556
Артикул: 7bd19c20f673
3100,00 ₽
В корзину
FMCP1024-30
наличие: 8 шт
Код товара: 38657
Артикул: c27db2bb541f