FF150R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 150A 790Вт

Код товара: 1100
Артикул: FF150R12RT4HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 150
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 790
смотреть полные характеристики
18800,00 
наличие:
Выберите количество:
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 150
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 790
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус AG-34MM
Вес, г 160
FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
наличие: шт
Код товара: 7185
Артикул: FF200R12KE3HOSA1
19380,00 
В корзину
ТПК-1 (15В, 0.10А) (ТПГ-1), Трансформатор герметичный (залитый), 15В, 0.10А
наличие: шт
Код товара: 3188
Артикул: ТПК-1 (15В, 0.10А) (ТПГ-1)