SKM50GB12T4, Биполярный транзистор IGBT, 840 Вт

Код товара: 10914
Артикул: SKM50GB12T4
Характеристики
Производитель Semikron Elektronik
Корпус GB
кол-во в упаковке 8
Channel Type N
Configuration Dual Half Bridge
смотреть полные характеристики
5460,00 
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Биполярный транзистор IGBT, 840 Вт

Основные параметры
Корпус GB
кол-во в упаковке 8
Channel Type N
Configuration Dual Half Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 81 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Panel Mount
Package Type SEMITRANS2
Pin Count 7
Transistor Configuration Series
Вес, г 310
Мультиплексор ERICSSON BFD599030-2
наличие: шт
Код товара: 17108
Артикул: BFD599030-2
1250-0050-F000-RS, Single Point Load Cell, 50kg Range, Compression Measure
наличие: шт
Код товара: 12139
Артикул: 1250-0050-F000-RS
78470,00 
В корзину
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 220 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
Код товара: 35672
Артикул: MO-200 (С2-23) 2 Вт, 220 Ом, 5%
CF-100 (С1-4) 1 Вт, 12 кОм, 5%, Резистор углеродистый
наличие: шт
Код товара: 4398
Артикул: CF-100 (С1-4) 1 Вт, 12 кОм, 5%
03510-002T-C3-85X, Low Profile Load Cell, 2000kg Range, Compression Measure
наличие: шт
Код товара: 10264
Артикул: 03510-002T-C3-85X
70540,00 
В корзину
Конденсатор керамический, емкость 3300пФ, напряжение 2000 В, размер 7x 3, выводы 2L5
наличие: шт
Код товара: 5307
Артикул: к 3300 пФ\ 2000\ 7x 3\\\\2L5\\332 2kV [К15-5]
РР-516, Разрядник
наличие: шт
Код товара: 5039
Артикул:
6360,00 
В корзину