FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт

Код товара: 1076
Артикул: FF100R12RT4HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 555
смотреть полные характеристики
11700,00 
наличие:
Выберите количество:
Описание Модуль Trans IGBT N-CH 1200 В 100 А 555000 мВт 7-к Характеристики

Категория Транзистор
Тип модуль
Вид IGBT
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 555
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус AG-34MM
Вес, г 160
BLM18BB750SN1D
наличие: шт
Код товара: 19637
Артикул:
FF300R12KT4, IGBT Modules IGBT 1200V 300A
наличие: шт
Код товара: 18543
Артикул: FF300R12KT4
36610,00 
В корзину
BLM18PG221SH1D
наличие: шт
Код товара: 20259
Артикул:
FF150R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 150A 790Вт
наличие: шт
Код товара: 1100
Артикул: FF150R12RT4HOSA1
18800,00 
В корзину