FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт

Код товара: 1076
Артикул: FF100R12RT4HOSA1
Характеристики
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 555
смотреть полные характеристики
11700,00 
наличие:
Выберите количество:
Описание Модуль Trans IGBT N-CH 1200 В 100 А 555000 мВт 7-к Характеристики

Категория Транзистор
Тип модуль
Вид IGBT
Основные параметры
Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 555
Рабочая температура (Tj), °C -40…+150
Корпус AG-34MM
Вес, г 160
B66358-G500-X187, N87, ETD29/16/10 (1 шт.), Сердечник ферритовый
наличие: шт
Код товара: 11526
Артикул: B66358-G500-X187, N87, ETD29/16/10 (1 шт.)
1N4740A T/B
наличие: шт
Код товара: 28128
Артикул:
Точка доступа Korenix JetWave-2810-H
наличие: шт
Код товара: 24911
Артикул: JetWave-2810-H
Тиристор 1300  16АT132-16-13 [Т132-16-13]; Тиристор 1300  16А\T132-16- 13[Т132-16-13]
наличие: шт
Код товара: 18683
Артикул: Тиристор\ 1300 \ 16А\\T132-16-13[Т132-16-13]\
1590,00 
В корзину