Каталог

2SC2314, Транзистор биполярный, NPN, Ic=1.5А, Vceo=75В, Vcbo=75В, Pd=0.8Вт, hFE= 60…320 [TO-126]

Код товара: 10533
Артикул: 2SC2314
В сравнение В избранное
2SC2314, Транзистор биполярный, NPN, Ic=1.5А, Vceo=75В, Vcbo=75В, Pd=0.8Вт, hFE= 60…320 [TO-126]
2SC2314, Транзистор биполярный, NPN, Ic=1.5А, Vceo=75В, Vcbo=75В, Pd=0.8Вт, hFE= 60…320 [TO-126]
Характеристики
Производитель Inchange Semiconductor
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 75
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
смотреть полные характеристики
230,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Основные параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 75
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 60…320
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 180
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 5
Корпус to-126
Вес, г 0.9
SG230, Gas Discharge Tubes 230VDC 1kADC 2AAC 1pF Solder Pad SMD
наличие: шт
SG230, Gas Discharge Tubes 230VDC 1kADC 2AAC 1pF Solder Pad SMD
Код товара: 39099
Артикул: SG230
220,00 ₽
В корзину
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 5.6 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 5.6 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
Код товара: 34564
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 5.6 МОм, 5%
6,00 ₽
В корзину
Трансивер Cisco DWDM-X2-60.61
наличие: шт
Трансивер Cisco DWDM-X2-60.61
Код товара: 25459
Артикул: DWDM-X2-60.61
659758,00 ₽
В корзину
FS100R12KE3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 140 А, 1.7 В, 480 Вт, 125 °C, Module
наличие: шт
FS100R12KE3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 140 А, 1.7 В, 480 Вт, 125 °C, Module
Код товара: 23834
Артикул: FS100R12KE3BOSA1
51230,00 ₽
В корзину
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 6.8 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
наличие: шт
MO-100 (С2-23) 1 Вт, 6.8 МОм, 5%, Резистор металлооксидный
Код товара: 34600
Артикул: MO-100 (С2-23) 1 Вт, 6.8 МОм, 5%
6,00 ₽
В корзину
FS50R12KE3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 75 А, 1.7 В, 270 Вт, 150 °C, Module
наличие: шт
FS50R12KE3BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 75 А, 1.7 В, 270 Вт, 150 °C, Module
Код товара: 25094
Артикул: FS50R12KE3BOSA1
22370,00 ₽
В корзину
Сервер Hewlett-Packard 776275-421
наличие: шт
Сервер Hewlett-Packard 776275-421
Код товара: 12531
Артикул: 776275-421
В корзину
Катушка переменной индуктивности, 10x10x15
наличие: шт
Катушка переменной индуктивности, 10x10x15
Код товара: 33424
Артикул: 4130 индук КИВП 4,5витка\\10x10x15\\жел
140,00 ₽
В корзину
Катушка переменной индуктивности, 0,8~1,2мкГн, 7,3×7,5×11,5
наличие: шт
Катушка переменной индуктивности, 0,8~1,2мкГн, 7,3×7,5×11,5
Код товара: 33118
Артикул: 3972 индук КИВП 0,8~1,2мкГн\\7,3x7,5x11,5\\
140,00 ₽
В корзину
CC45SL3JD470JYGNA, (6kV 47pF +5% SL+350 to -1000ppm/°C F:7.5mm), Конденсатор керамический высоковольтный радиальный 6000В 47пФ
наличие: шт
CC45SL3JD470JYGNA, (6kV 47pF +5% SL+350 to -1000ppm/°C F:7.5mm), Конденсатор керамический высоковольтный радиальный 6000В 47пФ
Код товара: 15743
Артикул:
39,00 ₽
В корзину