Home
Электронные компоненты
Полупроводниковые модули
IGBT
BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А

BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А

Код товара: 1052

Артикул: BSM75GB120DN2HOSA1

BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А

Характеристики

Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Структура	полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	105
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	625

смотреть полные характеристики

20180,00 ₽

наличие:

Выберите количество:

В корзину

Описание
Технические характеристики

Описание Транзистор БТИЗ BSM75GB120DN2 от INFINEON – высокомощное решение для эффективного управления электрическими нагрузками. С монтажом винтами, ток коллектора достигает 75 А, обеспечивая мощность до 625 Вт. Компонент выполнен в корпусе AG-34MM-1, что гарантирует надежность и долговечность в эксплуатации. Вид IGBT подчеркивает его гибкость в области применения, отличаясь высокой эффективностью и скоростью переключения. Использование BSM75GB120DN2 в вашем проекте повысит эффективность системы и снизит энергопотребление. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	БТИЗ
Вид	IGBT
Монтаж	винтами
Ток коллектора, А	75
Мощность, Вт	625
Корпус	AG-34MM-1

Основные параметры
Структура	полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	105
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	625
Рабочая температура (Tj), °C	+150(max)
Корпус	HALF-BRIDGE 1
Вес, г	250