Каталог

SKIIP35NAB12T4V1, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 73А

Код товара: 10442
Артикул: SKIIP35NAB12T4V1
В сравнение В избранное
SKIIP35NAB12T4V1, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 73А
SKIIP35NAB12T4V1, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 73А
Характеристики
Производитель Semikron Elektronik
Корпус MiniSKiiPR 3
кол-во в упаковке 1
Вес, г 194.5
смотреть полные характеристики
10590,00 ₽
наличие:
Выберите количество:
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT

Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 73А

Основные параметры
Корпус MiniSKiiPR 3
кол-во в упаковке 1
Вес, г 194.5
Тиристор 300 В, 12 А ,корпус ST1, Т2-12-3-542
наличие: шт
Тиристор 300 В, 12 А ,корпус ST1, Т2-12-3-542
Код товара: 7568
Артикул: Тиристор\ 300 \ 12А\ST1\Т2-12-3-542\
250,00 ₽
В корзину
63-0000-2120
наличие: 9 шт
63-0000-2120
Код товара: 38078
Артикул: 208793e2a9b8
125,00 ₽
В корзину
91-6040-9013
наличие: 130 шт
91-6040-9013
Код товара: 38279
Артикул: 929222c3936e
69,00 ₽
В корзину